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数量:140 |
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规格书 |
IPD30N03S2L-07 |
Rohs | Lead free / RoHS Compliant |
标准包装 | 2,500 |
FET 型 | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
FET特点 | Logic Level Gate |
漏极至源极电压(VDSS) | 30V |
电流-连续漏极(编号)@ 25°C | 30A |
Rds(最大)@ ID,VGS | 6.7 mOhm @ 30A, 10V |
VGS(TH)(最大)@ Id | 2V @ 85µA |
栅极电荷(Qg)@ VGS | 68nC @ 10V |
输入电容(Ciss)@ Vds的 | 1900pF @ 25V |
功率 - 最大 | 136W |
安装类型 | Surface Mount |
包/盒 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
供应商器件封装 | PG-TO252-3 |
包装材料 | Tape & Reel (TR) |
FET特点 | Logic Level Gate |
封装 | Tape & Reel (TR) |
安装类型 | Surface Mount |
电流 - 连续漏极(Id ) @ 25 °C | 30A (Tc) |
的Vgs(th ) (最大)@ Id | 2V @ 85µA |
漏极至源极电压(Vdss) | 30V |
标准包装 | 2,500 |
供应商设备封装 | PG-TO252-3 |
开态Rds(最大)@ Id ,V GS | 6.7 mOhm @ 30A, 10V |
FET型 | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
功率 - 最大 | 136W |
封装/外壳 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
输入电容(Ciss ) @ VDS | 1900pF @ 25V |
闸电荷(Qg ) @ VGS | 68nC @ 10V |
安装风格 | SMD/SMT |
产品种类 | MOSFET |
晶体管极性 | N-Channel |
配置 | Single |
源极击穿电压 | +/- 20 V |
连续漏极电流 | 30 A |
系列 | IPD30N03 |
RDS(ON) | 6.7 mOhms |
功率耗散 | 136 W |
最低工作温度 | - 55 C |
典型关闭延迟时间 | 40 ns |
零件号别名 | IPD30N03S2L07ATMA1 SP000254463 |
上升时间 | 30 ns |
最高工作温度 | + 175 C |
漏源击穿电压 | 30 V |
RoHS | RoHS Compliant |
下降时间 | 16 ns |
工厂包装数量 | 2500 |
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 30 V |
Vgs - Gate-Source Voltage | 20 V |
宽度 | 6.22 mm |
品牌 | Infineon Technologies |
通道数 | 1 Channel |
商品名 | OptiMOS |
晶体管类型 | 1 N-Channel |
Id - Continuous Drain Current | 30 A |
长度 | 6.5 mm |
Rds On - Drain-Source Resistance | 6.7 mOhms |
通道模式 | Enhancement |
身高 | 2.3 mm |
典型导通延迟时间 | 10 ns |
Pd - Power Dissipation | 136 W |
技术 | Si |
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